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会议论文 采用高分辨XRD对M面GAN位错特性的研究
出处:第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LIALO2(100)面上采用金属有机物化学汽相沉积生长的M面GAN薄膜的微观结构... 显示全部
关键词: 氮化镓薄膜 射线衍射 位错特性 金属有机物 化学汽相沉积 微观结构
会议论文 琥珀色InGaN基多量子阱的制备及其性能表征
出处:第十一届全国MOCVD学术会议
摘要:通过MOCVD系统在c面蓝宝石衬底上生长了5个周期的琥珀色InGaN/GaN多量子阱。应用高分辨x射线衍射仪、原子力... 显示全部
会议论文 IN0.2GA0.8N化合物肖特基太阳电池
出处:第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:本文制备了一个AU/PT/IN0.2GA0.8N肖特基原型太阳电池。采用热电子发射(TE)模型和热电子场发射(TFE)模型拟... 显示全部
关键词: 化合物半导体 肖特基 太阳电池 热电子发射 电流输运 输运机制
会议论文 ZNO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟研究
出处:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:本文采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZNO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内... 显示全部
关键词: 数值模拟 计算流体力学
会议论文 A面GAN阴极荧光激发强度特性的研究
出处:第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:对MOCVD生长的R-AL2O3上的A面GAN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电了束... 显示全部
关键词: 氮化镓薄膜 阴极荧光 激发强度 金属有机物 化学气相淀积 自由载流子
会议论文 高质量InGaN多量子阱的光荧光特性研究
出处:第十届全国MOCVD学术会议
摘要:利用金属有机气相沉积(MOCVD)方法,在自支撑GaN衬底上生长获得了阱宽为3.19纳米和2.7纳米的高质量InGaN多量... 显示全部
关键词: 半导体材料 多量子阱结构 基态跃迁
会议论文 Ge纳米点/Si纳米线复合结构制备及微结构特征分析
出处:第十一届全国MOCVD学术会议
摘要:本文结合金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法制备Si纳米线和低压化学气相外延自组织生长Ge纳米点制备了Ge纳米点/Si... 显示全部
会议论文 半导体光电子技术的新进展
出处:全国第十三次光纤通信暨第十四届集成光学学术会议
摘要:本文将介绍半导体能量光电子技术的发展背景和趋势,重点介绍半导体照明器件和半导体光伏器件技术的发展背... 显示全部
关键词: 半导体 光电子器件 照明器件 光伏器件
会议论文 ALXGA1-XN/GAN异质结中的RASHBA自旋劈裂
出处:第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:通过自恰求解薛定谔方程和泊松方程,可以得到沿C轴生长的ALXGA1-XN/GAN异质结中的导带底的形状,同时得出电... 显示全部
关键词: 自旋劈裂 压电极化 自发极化 自恰计算 异质结 薛定谔方程 泊松方程
会议论文 M面非极性GaN材料MOCVD生长和特性研究
出处:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:传统的C面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于内部极化电场的存在限制了器件量子效率的提高.M面GaN等Ⅲ族氮化物... 显示全部
关键词: 生长 非极化材料 薄膜材料 氮化物半导体
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