中文会议： 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

会议日期： 2008-11-30

会议地点： 广州

主办单位： 中国电子学会,广州市科协

作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 南京大学物理学院江苏省光电信息功能材料重点实验室

出　　处： 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》

摘　　要： 对MOCVD生长的R-AL2O3上的A面GAN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电了束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示：非极性A面GAN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中IBE∝IB046, IYL∝IB0.45,这主要是由于饱和效应引起的,与以往C面GAN报道对比,表明带边相对于黄光受到了一定抑制；改变加速电压可以看出,黄带部分随加速电压的变化关系相对于带边要复杂很多,这主要是由黄带本身形成原因的复杂多样性与自吸收,自由载流子和应力的综合作用引起的。

关 键 词： 氮化镓薄膜 阴极荧光 激发强度 金属有机物 化学气相淀积 自由载流子

领　　域： [一般工业技术]