中文会议： 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

会议日期： 2008-11-30

会议地点： 广州

主办单位： 中国电子学会,广州市科协

作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 南京大学物理学院江苏省光电信息功能材料重点实验室

出　　处： 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》

摘　　要： 通过自恰求解薛定谔方程和泊松方程,可以得到沿C轴生长的ALXGA1-XN/GAN异质结中的导带底的形状,同时得出电子分布以及所有束缚态。我们发现电子占据前两个子带并且得到可观的第一、二了带RASHBA自旋劈裂(在费米能级处)。我们研究了RASHBA自旋劈裂随AL组分变化关系,并且讨论了电子对第二子带的战据对第一子带RASHBA劈裂的影响。结果表明,RASHBA自旋劈裂随AL组分增加很快,说明由压电极化和自发极化导致的内建电场对RASHBA自旋劈裂至关重要。这些结果可能对自旋电子器件的设计有重要意义。

关 键 词： 自旋劈裂 压电极化 自发极化 自恰计算 异质结 薛定谔方程 泊松方程

分 类 号： [T]

领　　域： [一般工业技术]