中文会议： 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

会议日期： 2008-11-30

会议地点： 广州

主办单位： 中国电子学会,广州市科协

作　　者： ; ; ; ; ; ;

机构地区： 南京大学物理学院江苏省光电信息功能材料重点实验室

出　　处： 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》

摘　　要： 本文制备了一个AU/PT/IN0.2GA0.8N肖特基原型太阳电池。采用热电子发射(TE)模型和热电子场发射(TFE)模型拟合了肖特基的正向电流-电压曲线,结果显示两种模型计算所得到的肖特基势垒高度和理想因子非常相近,表明所制备的IN0.2GA0.8N肖特基的电流输运机制主要体现为热电子发射。当采用功率密度为300MW/CM2的氙灯照射时,IN0.2GA0.8N肖特基太阳电池呈现出的开路电压为0.91伏,短路电流密度为7 MA/CM2,填充因子为O.45,功率转换效率为0.95％。

关 键 词： 化合物半导体 肖特基 太阳电池 热电子发射 电流输运 输运机制

领　　域： [一般工业技术]