中文会议： 第十一届全国MOCVD学术会议论文集

会议日期： 2010-01-13

会议地点： 苏州

主办单位： 中国有色金属学会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 南京大学物理学院江苏省光电信息功能材料重点实验室

出　　处： 《第十一届全国MOCVD学术会议》

摘　　要： 通过MOCVD系统在c面蓝宝石衬底上生长了5个周期的琥珀色InGaN/GaN多量子阱。应用高分辨x射线衍射仪、原子力显微镜、PL谱研究了InGaN/GaN多量子阱样品的结构和光学特性。 (002)面高精x射线衍射ω/2θ扫描显示卫星峰达到了第四级，表明样品界面结构质量较好。从AFM中可观察到样品表面的量子点状结构，平均粗糙度较大。PL谱展示了样品的双峰结构，峰值波长分别为579nm和434nm。这分别对应于阱层中的富IN纳米点和基质区域。

分 类 号： [TQ1 TN1]

领　　域： [化学工程] [电子电信]