中文会议： 第十一届全国MOCVD学术会议论文集

会议日期： 2010-01-13

会议地点： 苏州

主办单位： 中国有色金属学会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 南京大学物理学院江苏省光电信息功能材料重点实验室

出　　处： 《第十一届全国MOCVD学术会议》

摘　　要： 本文结合金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法制备Si纳米线和低压化学气相外延自组织生长Ge纳米点制备了Ge纳米点/Si纳米线复合结构，采用电子显微镜、微区原子力/拉曼联合测试系统进行了微结构表征。Ge纳米点基本均匀地分布于Si纳米线上，通过改变生长参数可有效控制Ge纳米点的尺寸和密度。在非常扁薄的无支撑的纳米点/线复合结构中，由于应力和热效应的作用使Si和Ge的拉曼散射特征峰发生了较大的红移。

领　　域： [一般工业技术] [电子电信]