中文会议： 第十届全国MOCVD学术会议论文集

会议日期： 2007-11-01

会议地点： 广州

主办单位： 中国有色金属学会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 南京大学物理学院江苏省光电信息功能材料重点实验室

出　　处： 《第十届全国MOCVD学术会议》

摘　　要： 利用金属有机气相沉积(MOCVD)方法,在自支撑GaN衬底上生长获得了阱宽为3.19纳米和2.7纳米的高质量InGaN多量子阱结构。高分辨X射线衍射和透射电子显微镜测量表明,该量子结构具有原子级平整的界面和严格重复的阱层和垒层厚度。变温光荧光研究表明,除基态跃迁外,在阱中存在第一激发态跃迁。随着测量温度的降低,基态跃迁和第一激发态的跃迁可清晰分辨,能量相差46meV。在77K变激发功率的测量中,基态跃迁和第一激发态的跃迁同样被清晰分辨。以上测量和结果表明,在高质量的InGaN多量子阱中,产生明显量子限制的阱宽与氮化物激子直径相对应。本实验研究的结果表明,对激子形成有效量子限制、实现高效率的发光的阱宽不应大于3.1纳米。

关 键 词： 半导体材料 多量子阱结构 基态跃迁

领　　域： [电子电信]