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ZNO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟研究

中文会议: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议日期: 2006-11-01

会议地点: 广西北海

主办单位: 中国电子学会

作  者: ; ; ; ; ; ; ;

机构地区: 南京大学物理学院江苏省光电信息功能材料重点实验室

出  处: 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》

摘  要: 本文采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZNO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内的流场进行了三维数值模拟和分析.数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行离散.通过解决流体的能量,动量,质量和物种守恒方程,本文主要研究了气体入口的倾斜角度对衬底表面淀积的ZNO的分布的影响,并研究了不同的衬底位置对生长速率的影响.计算结果给ZNO-MOCVD系统结构的优化提供了一个有力的参考依据.

关 键 词: 数值模拟 计算流体力学

领  域: [一般工业技术]

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