聚类工具

0
帮助 本站公告
您现在所在的位置:网站首页 > 知识中心 > 检索结果
排序:
期刊文章 刻蚀端面AlGaInAs/AlInAs激光器的制作与特性
出处:中国激光 2005年第8期1031-1034,共4页
摘要:利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AIGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀.AlGaInAs... 显示全部
关键词: 激光技术 刻蚀端面激光器 感应耦合等离子体
期刊文章 利用光聚合反应制作表面平整的聚合物光栅
出处:半导体学报 2005年第2期 363-367,共5页
摘要:提出利用紫外光聚合反应来制作聚合物光栅的方法.实验发现,光栅的表面起伏深度很小,约为12.4~0.7nm;... 显示全部
关键词: 光聚合反应 聚合物光栅 分布反馈 聚合物激光器
期刊文章 用于40Gb/s光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉
出处:半导体学报 2005年第10期 2001-2005,共5页
摘要:提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基... 显示全部
关键词: 宽带硅基过渡热沉 高速电吸收调制器 高阻率硅衬底 低损耗共面波导 薄膜电阻
在线阅读 下载全文
期刊文章 端面反射对集成光源高频特性的影响及其抑制
出处:光电子.激光 2005年第10期 1178-1181,共4页
摘要:研究了分布反馈型半导体激光器(DFB-LD)与电吸收(EA)调制器集成光源中调制器端面残余反射对器件高频特性的... 显示全部
关键词: 集成光源 分布反馈型半导体激光器 电吸收 调制器 强度噪声谱 端面镀膜
在线阅读 下载全文
期刊文章 应用于40Gb/s电吸收调制器的Al2O3高速热沉研究
出处:红外与毫米波学报 2006年第2期 105-108,共4页
摘要:设计制作了面向40Gb/s电吸收调制器(EAM)的高速微波过渡热沉,并进行了EAM管芯级封装测试的验证.这种基... 显示全部
关键词: 高速热沉 电吸收调制器 共面波导传输线 薄膜电阻 阻抗匹配
在线阅读 下载全文
期刊文章 无制冷高速直调1.5 μm AlGaInAs-InP DFB激光器
出处:光电子.激光 2007年第6期 666-668,共3页
摘要:利用AlGaInAs-InP应变多量子阱(MQW)材料导带偏移量大的特点,制作了基于AlGaInAs-InP材料的无制冷脊波导... 显示全部
关键词: 分布反馈式 激光器 无制冷 直接调制带宽
在线阅读 下载全文
期刊文章 电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究
出处:功能材料与器件学报 2003年第4期 432-436,共5页
摘要:深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响.首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的... 显示全部
关键词: 干法刻蚀 掩膜 刻蚀端面 等离子体
在线阅读 下载全文
期刊文章 新型自脉动多段式分布反馈激光器的理论分析
出处:光电子.激光 2007年第4期 396-399,共4页
摘要:提出一种新型可产生稳定自脉动光脉冲的多段式分布反馈(MS-DFB)半导体激光器结构,其特点在于各DFB段采用... 显示全部
关键词: 自脉动 多段式分布反馈 脊波导 大信号模型
在线阅读 下载全文
期刊文章 基于同一外延层结构的10Gb/s单片集成光发射模块
出处:半导体学报 2005年第4期 662-666,共5页
摘要:利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.... 显示全部
关键词: 分布反馈激光器 电吸收调制器 光子集成回路 增益耦合
期刊文章 等离子体增强化学气相沉积端面减反膜的研究
出处:半导体光电 2004年第5期 380-383,387,共5页
摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制作半导体有源器件端面减反膜的方法简单易行,且适合进行大规模... 显示全部
关键词: 减反射膜 等离子体增强化学气相沉积 低反射率
找到10条结果
`