聚类工具

0
网站首页网站地图
访问手机版
关于我们
注册
帮助 本站公告
全部文献 媒体文章 报刊论文 会议论文 学位论文 出版专著 研究报告 课题成果 特色专题
高级检索
您现在所在的位置：网站首页 > 知识中心 > 检索结果
全选 题录导出
排序：
会议论文 可制造设计及其在深亚微米阶段的挑战
出处：中国电子学会第十四届青年学术年会
摘要：本文主要对可制造设计起源、研究现状及器件进入深亚微米阶段及纳米阶段可制造设计所面临的挑战进行了详细... 显示全部
关键词： 集成电路 芯片设计 电路制造 可制造设计
会议论文 从硅基裸芯片到微波裸芯片的应用研究
出处：中国电子学会第十四届青年学术年会
摘要：在IC技术迅猛发展的今天,传统的封装技术已经无法满足人们对于高性能、高集成度、高可靠性电路的要求,于是... 显示全部
关键词： 集成电路 芯片组件 裸芯片应用 可靠性分析
会议论文 浅析SEU原理研究及其应用
出处：第十二届全国可靠性物理学术讨论会
摘要：本文对SEU进行了详细的介绍,主要介绍了对SEU原理的研究及对其加固技术的研究,同时也对空间辐射源及计算机... 显示全部
关键词： 临界电荷 空间辐射源 计算机模拟软件 地面实验 空间实验 加固技术
会议论文 MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究
出处：2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会
摘要：本文介绍了中带电压法、电荷泵法和双晶体管法等运用于MOS结构器件中分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化... 显示全部
关键词： 器件 元件测试 界面态 电荷分离
会议论文 MOS器件电离辐射总剂量退化的温度效应
出处：第十二届全国可靠性物理学术讨论会
摘要：MOS器件辐射效应的一些基本物理过程,如电荷产生、空穴输运、俘获与退火以及界面陷阱增长与退火等,取决于辐... 显示全部
关键词： 器件 电离辐射 辐射效应 总剂量退化 温度效应
会议论文 低剂量率下双极晶体管的电离辐射效应
出处：中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会
摘要：在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且纵向NPN管... 显示全部
关键词： 低剂量率 电离辐射 双极晶体管 抗辐射加固
会议论文 MOSFET总剂量效应的Medici仿真研究
出处：2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会
摘要：本文运用Medici二维器件仿真软件改进了仿真电离辐射总剂量效应的二维数值法,仿真模拟了NMOSFET在不同总剂... 显示全部
关键词： 器件 辐照效应 电离辐射 计算机仿真
会议论文 多位翻转研究及其加固处理
出处：第六届电子产品防护技术研讨会
摘要：本文主要对多位翻转(MBU)的产生模式和影响因素及加固进行了介绍,首先对各种不同粒子产生MBU的模式进行说明... 显示全部
关键词： 多位翻转 敏感体积法 单粒子单位翻转 加固处理 电子器件 可靠性
会议论文 中带电压法分离MOSFET氧化层陷阱电荷与界面态电荷
出处：中国电子学会第十四届青年学术年会
摘要：本文讨论了MOSFET氧化层陷阱电荷和界面态电荷分离的几种方法,重点介绍了其中的中带电压法,并指出应用中带... 显示全部
关键词： 微电子学 陷阱电荷 电荷分离 集成电路
会议论文 质子SEU率计算模型及其对比
出处：中国电子学会第十四届青年学术年会
摘要：本文首先介绍了计算质子单粒子翻转(SEU)率的三种模型——优质因素(FOM)模型、J.Barak的模型和Philippe Cal... 显示全部
关键词： 集成电路 芯片设计 单粒子翻转
找到11条结果

联系方式

电 话：020-38800179

邮 箱：gdtheory@126.com

地 址：广州市天河区天河北路618号广东社会科学中心

邮 编：510635

友情链接

扫一扫 手机浏览

广东省社会科学院·广东省哲学社会科学数据库·广东智库 版权所有 Copyright©2012 gdtheory.cn All Rights Reserved.

违法和不良信息举报中心举报邮箱：jubao@cqvip.com 粤ICP备10080020号-3

`