中文会议： 中国电子学会第十四届青年学术年会论文集

会议日期： 2008-09-01

会议地点： 广州

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ; ;

机构地区： 华南理工大学

出　　处： 《中国电子学会第十四届青年学术年会》

摘　　要： 本文主要对可制造设计起源、研究现状及器件进入深亚微米阶段及纳米阶段可制造设计所面临的挑战进行了详细的分析说明,首先对其起源和研究现状进行了介绍,然后对器件深亚微米阶段可制造设计所面临的问题中的两个例子—随机缺陷和图像扭曲做了解释。可以看出,可制造设计对集成电路设计以及整个集成电路产业都将产生非常重要的影响。

关 键 词： 集成电路 芯片设计 电路制造 可制造设计

分 类 号： [TN]

领　　域： [电子电信]