中文会议： 中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会论文集

会议日期： 2006-10-22

会议地点： 福建武夷山

主办单位： 中国电子学会

出版方 ： 中国电子学会可靠性分会

作　　者： ; ; ; ; ;

机构地区： 电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室

出　　处： 《中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会》

摘　　要： 在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且纵向NPN管比PNP管严重.本文对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨,并讨论了双极器件的抗辐射加固技术.

关 键 词： 低剂量率 电离辐射 双极晶体管 抗辐射加固

领　　域： [电子电信]