中文会议： 第十二届全国可靠性物理学术讨论会论文汇编

会议日期： 2007-10-01

会议地点： 四川都江堰

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ; ;

机构地区： 华南理工大学理学院微电子研究所

出　　处： 《第十二届全国可靠性物理学术讨论会》

摘　　要： MOS器件辐射效应的一些基本物理过程,如电荷产生、空穴输运、俘获与退火以及界面陷阱增长与退火等,取决于辐照总剂量、辐照剂量率、偏置条件、环境温度、器件氧化层工艺条件等因素;本文对上述物理过程的机理进行了探讨,并着重分析了温度与两类电荷(氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷)的变化关系。

关 键 词： 器件 电离辐射 辐射效应 总剂量退化 温度效应

领　　域： [电子电信]