中文会议： 第六届电子产品防护技术研讨会论文集

会议日期： 2008-06-01

会议地点： 贵州安顺

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ;

机构地区： 华南理工大学

出　　处： 《第六届电子产品防护技术研讨会》

摘　　要： 本文主要对多位翻转(MBU)的产生模式和影响因素及加固进行了介绍,首先对各种不同粒子产生MBU的模式进行说明,然后对几种影响MBU产生的因素进行非常详细的分析,最后列举了两种抗MBU方法.在对MBU的研究中发现,随着器件特征尺寸的不断缩小,特别是器件进入深亚微米阶段,MBU对器件及电路的可靠性影响越大.

关 键 词： 多位翻转 敏感体积法 单粒子单位翻转 加固处理 电子器件 可靠性

分 类 号： [TN]

领　　域： [电子电信]