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会议论文 带栅极结构硅纳米线场发射阵列的研究
出处:第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
摘要:本文采用纳米掩模自组装和等离子体各向异性刻蚀相结合的技术,制备出了带栅极结构的单晶硅纳米线场发射阵列... 显示全部
关键词: 场发射阵列 硅纳米线 掩模组装
会议论文 带栅极定位镀膜硅微尖锥阵列研制及其场发射特性研究
出处:第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
摘要:本文介绍了制备带栅极定位镀膜硅微尖锥阵列的技术,并对面积为0.25mm2、40×40DLC薄膜的硅微尖锥阵列的样品... 显示全部
关键词: 冷阴极材料 半导体薄膜 硅微尖锥
会议论文 SIC/NC-SI多层薄膜的光致可见发光谱的紧束缚理论研究
出处:第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
摘要:本文用VOGL提出的SP3S*紧束缚模型来研究碳化硅/纳米硅(SIC/NC-SI)多层薄膜的能带结构与其光致发光谱(PL)的... 显示全部
关键词: 超晶格 紧束缚理论 多层薄膜 光致发光
会议论文 离子注入间接诱导的高驰豫锗硅
出处:第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
摘要:应变硅是新一代超高速材料,是当前微电子学的研究热点.高驰豫的锗硅缓冲层在应变硅的制备中起重要作用.目前... 显示全部
关键词: 驰豫锗硅 超高真空化学气相沉积 离子注入
会议论文 UHVCVD低温外延的表面粗糙度研究
出处:第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
摘要:本文利用AFM测量不同生长条件下的SI或SIGE外延层,结果表明外延层的表面粗糙度强烈地依赖于外延的温度和气... 显示全部
关键词: 外延 表面质量 外延 粗糙度 超高真空化学气相沉积
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