中文会议： 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集

会议日期： 2005-11-01

会议地点： 北京

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 清华大学

出　　处： 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》

摘　　要： 应变硅是新一代超高速材料,是当前微电子学的研究热点.高驰豫的锗硅缓冲层在应变硅的制备中起重要作用.目前,驰豫锗硅的生长主要采用递增锗浓度的方法,其缺点是锗硅层厚达数微米、加工难度大、器件性能不稳定.本文通过离子注入硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延锗硅发生驰豫,以制备薄的高驰豫锗硅.利用微区RAMAN和TAPPINGAFM技术,对所生长的锗硅材料进行了表征.结果表明,上述方法能够制备厚度为100NM、驰豫度达94﹪、大面积(直径为125MM)的均匀锗硅材料.然而,相同条件下,如果高能离子直接注入到锗硅层,将极大地破坏外延材料的晶体结构,得到多晶的锗硅.此外,我们还通过选择性腐蚀锗硅实验,对其微观机制进行了研究.本文特别之处在于:利用现有设备,通过改进生长方式,成功制备出大面积、高驰豫的锗硅新材料,为将来应变硅的生长和超高速器件的研究创造条件.

关 键 词： 驰豫锗硅 超高真空化学气相沉积 离子注入

领　　域： [一般工业技术]