中文会议： 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集

会议日期： 2005-11-01

会议地点： 北京

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室

出　　处： 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》

摘　　要： 本文用VOGL提出的SP3S*紧束缚模型来研究碳化硅/纳米硅(SIC/NC-SI)多层薄膜的能带结构与其光致发光谱(PL)的关系,并设计出SIC/NC-SI多层薄膜最佳结构为{SI}1{SIC}8,即碳化硅层的厚度是纳米硅层厚度的8倍时的超晶格结构蓝光发射的效率最高.实验上,我们在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积含氢非晶SICX:H(A-SICX:H)和非晶SI:H(A-SI:H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备出了晶化纳米SIC/NC-SI(多晶SIC和纳米SI)多层薄膜.利用截面透射电子显微镜技术分析了A-SICX:H/NC-SI:H多层薄膜的结构特性,表明实验上制备出来的超晶格结构稍微偏离设计,它的结构为{SI}1{SIC}5,最后本文对晶化样品的光致发光谱进行研究,详细分析了各个光致发光峰的物理本质.

关 键 词： 超晶格 紧束缚理论 多层薄膜 光致发光

领　　域： [一般工业技术]