中文会议： 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集

会议日期： 2005-11-01

会议地点： 北京

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ;

机构地区： 清华大学信息科学技术学院微电子学研究所

出　　处： 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》

摘　　要： 本文利用AFM测量不同生长条件下的SI或SIGE外延层,结果表明外延层的表面粗糙度强烈地依赖于外延的温度和气体流量.对于SIGE外延材料,实践中发现粗糙度改变了表面对光的作用,因此可利用所谓的"氧化层"厚度在一定程度上间接地反映表面的粗糙程度.

关 键 词： 外延 表面质量 外延 粗糙度 超高真空化学气相沉积

分 类 号： [T]

领　　域： [一般工业技术]