中文会议： 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集

会议日期： 2005-11-01

会议地点： 北京

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ; ; ;

机构地区： 中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室

出　　处： 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》

摘　　要： 本文采用纳米掩模自组装和等离子体各向异性刻蚀相结合的技术,制备出了带栅极结构的单晶硅纳米线场发射阵列.场致电子发射测试结果表明,制备的硅纳米线场发射阵列具有较低的开启电压,其开启电压为25V.

关 键 词： 场发射阵列 硅纳米线 掩模组装

分 类 号： [TN]

领　　域： [电子电信]