中文会议： 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集

会议日期： 2005-11-01

会议地点： 北京

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ; ; ;

机构地区： 中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室

出　　处： 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》

摘　　要： 本文介绍了制备带栅极定位镀膜硅微尖锥阵列的技术,并对面积为0.25mm2、40×40DLC薄膜的硅微尖锥阵列的样品进行了场发射特性测试,在栅极电压为200V时获得0.23A/cm2的发射电流密度.

关 键 词： 冷阴极材料 半导体薄膜 硅微尖锥

领　　域： [电子电信]