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会议论文 Si(111)衬底上3C-SiC的CVD异质外延生长
出处:第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:以乙烯和硅烷为生长气源、在900~1000℃下、用化学气相淀积方法在硅(111)衬底上外延生长了碳化硅薄膜.X射线... 显示全部
关键词: 外延生长 化学气相淀积 射线衍射谱 俄歇电子能谱 拉曼散射 碳化硅薄膜
会议论文 AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的设计与表征
出处:首届全国先进焦平面技术研讨会
摘要:设计了反射中心波长为500nm的Al0.3Ga0.7N/GaN和AlN/GaN两种分布布拉格反射镜(DBR),并采用光学传递矩阵方法... 显示全部
关键词: 氮化镓 分布布拉格反射镜 光学传递矩阵方法 化学气相淀积
会议论文 A面GAN阴极荧光激发强度特性的研究
出处:第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:对MOCVD生长的R-AL2O3上的A面GAN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电了束... 显示全部
关键词: 氮化镓薄膜 阴极荧光 激发强度 金属有机物 化学气相淀积 自由载流子
会议论文 SI上SI1-XGEX:C缓冲层的载流子分布
出处:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:本文用化学气相淀积(CVD)方法在SI(100)衬底上生长了GE组分渐变的SI1-XGEX:C合金缓冲层.研究表明,较高温度... 显示全部
关键词: 化学气相淀积 载流子 导电分布特性
会议论文 低压MOCVD ZnO的生长与性质
出处:第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:利用LP-MOCVD技术在(0002)蓝宝石衬底上制备出c轴取向高度一致的单晶ZnO薄膜,AFM测量显示其表面形貌为柱状... 显示全部
关键词: 光电性质 氧化锌薄膜 化学气相淀积 薄膜制备
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