帮助 本站公告
您现在所在的位置:网站首页 > 知识中心 > 文献详情
文献详细Journal detailed

低压MOCVD ZnO的生长与性质

中文会议: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

会议日期: 2002-10-01

会议地点: 厦门

主办单位: 中国电子学会

作  者: ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;

机构地区: 南京大学物理学院物理学系

出  处: 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》

摘  要: 利用LP-MOCVD技术在(0002)蓝宝石衬底上制备出c轴取向高度一致的单晶ZnO薄膜,AFM测量显示其表面形貌为柱状生长的光滑表面,室温及低温光荧光谱测量显示近带边发射和激子发射,没有观察与深能级有关的蓝带等发射.采用Al电极制备出ZnO的MSM结构的光导型探测器原型器件,在紫外波段观察到与带边吸收有关的光电响应.

关 键 词: 光电性质 氧化锌薄膜 化学气相淀积 薄膜制备

领  域: [一般工业技术]

相关作者

相关机构对象

相关领域作者

作者 许治
作者 万良勇
作者 宋舒
作者 黄佑军
作者 王应密