中文会议： 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议日期： 2006-11-01

会议地点： 广西北海

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 江苏省光电信息功能材料重点实验室

出　　处： 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》

摘　　要： 本文用化学气相淀积(CVD)方法在SI(100)衬底上生长了GE组分渐变的SI1-XGEX:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的SI1-XGEX:C缓冲层中GE的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且SI1-XGEX:C缓冲层总体呈P型导电,存在一局域N型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究.

关 键 词： 化学气相淀积 载流子 导电分布特性

领　　域： [一般工业技术]