中文会议： 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

会议日期： 2002-10-01

会议地点： 厦门

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 南京大学物理学院物理学系

出　　处： 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》

摘　　要： 以乙烯和硅烷为生长气源、在900~1000℃下、用化学气相淀积方法在硅(111)衬底上外延生长了碳化硅薄膜.X射线衍射结果表明所制备的碳化硅薄膜沿衬底晶向外延、结晶取向单一,为立方结构的碳化硅外延层.喇曼散射测量显示提高生长温度有益于改善碳化硅外延薄膜的晶体质量.

关 键 词： 外延生长 化学气相淀积 射线衍射谱 俄歇电子能谱 拉曼散射 碳化硅薄膜

领　　域： [一般工业技术]