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期刊文章 Alq3发光层厚度对有机电致发光器件性能的影响
出处:光谱学与光谱分析 2010年第10期 2616-2619,共4页
摘要:文章以MoO3为空穴注入层,NPB为空穴传输层,改变发光/电子传输层Alq3的厚度,考察了器件电学和光学性能的变化... 显示全部
关键词: 有机发光二极管 发光层厚度 电致发光光谱 干涉效应 发光区域
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期刊文章 硅基微通道板微孔结构形貌的实验研究
出处:激光与光电子学进展 2012年第5期 160-164,共5页
摘要:硅基微通道板(MCP)的重要技术挑战之一就是如何在硅基上制作高深宽比的微孔阵列结构。采用光助电化学刻蚀... 显示全部
关键词: 光学器件 微孔阵列 光助电化学刻蚀 空间电荷区 深宽比 探测器
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期刊文章 紫外有机电致发光材料的研究进展
出处:现代显示 2010年第11期 35-39,共5页
摘要:紫外有机发光相对于其它发光技术,具有面发光、全视角、低驱动电压、低功耗、低制备成本等诸多优势,其应... 显示全部
关键词: 有机电致发光二极管 紫外发光 研究进展
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期刊文章 高效双螺旋点扩展函数相位片的设计与实验研究
出处:物理学报 2013年第12期240-246,共7页
摘要:双螺旋点扩展函数具有随离焦连续旋转变化的特性,结合单分子定位方法可用于厚样品三维超分辨成像及分子定位... 显示全部
关键词: 双螺旋点扩展函数 超分辨成像 轴向定位 优化算法
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期刊文章 1550nm波长PNP型InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料设计与外延生长
出处:光子学报 2010年第8期 1409-1412,共4页
摘要:基于器件模拟仿真,设计了一种PNP型1.5μm波长多量子阱InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料外延结构,并采用... 显示全部
关键词: 异质结 晶体管激光器 外延结构 掺杂扩散 量子阱退化
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期刊文章 硅衬底GaN基LED外延生长的研究
出处:压电与声光 2009年第4期 544-546,共3页
摘要:采用在A1N缓冲层后原位沉积SiN掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹... 显示全部
关键词: 硅衬底 薄膜 发光二极管
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期刊文章 DMQA浓度对OLEDs光电性能的影响
出处:现代电子技术 2011年第16期 179-182,共4页
摘要:为了探讨DMQA掺杂浓度对有机发光器件(OLEDs)光电性能的影响,采用器件结构ITO/PEDOT:PSS/TPD/Alq3:DMQA... 显示全部
关键词: 有机电致发光器件 浓度淬灭 激发双体发射
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期刊文章 1.5μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长
出处:物理学报 2010年第9期6193-6199,共7页
摘要:基于器件模拟仿真,设计了一种1.5μm波长InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延结构.其多量子阱有源区置于基区非... 显示全部
关键词: 晶体管激光器 外延结构 掺杂扩散 量子阱退化
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期刊文章 条纹边界编码的动态3D重建及流水建模
出处:光学学报 2010年第10期2884-2890,共7页
摘要:提出一种基于彩色条纹边界编码的动态三维重建及流水式三维建模的方法,通过定位隐边界,消除隐边界对边界跟... 显示全部
关键词: 图像处理 三维测量 流水式三维建模 条纹边界编码 视点规划
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期刊文章 硬X射线相位光栅的设计与研制
出处:物理学报 2010年第10期6927-6932,共6页
摘要:针对在普通实验室和医院实现40—100keVX射线相衬成像的需求,考虑到成像系统参数、X射线源空间相干特性及光... 显示全部
关键词: 射线 相衬成像 相位光栅 硅刻蚀 光助电化学刻蚀
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