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期刊文章 GaN生长工艺流程实时监控系统
出处:微电子学与计算机 2002年第1期 60-64,共5页
摘要:文章分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素.... 显示全部
关键词: 外延生长 半导体材料 工艺流程 实时监控系统
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期刊文章 外延生长Re—Ba—Cu—O(Re=Y,Er,Ho,Gd,Sm)超导薄膜的结构研究
出处:低温物理学报 1990年第4期 265-271,共7页
摘要:利用平面靶直流磁控溅射装置成功地制备了外延生长 ReBa2Cu3O7-x(Re=Y,... 显示全部
关键词: 外延生长 超导体 薄膜 结构
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期刊文章 La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长及其机理研究
出处:物理学报 1999年第1期 114-120,共7页
摘要:利用脉冲激光制膜法,在多种衬底和温度条件下,系统研究了La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜... 显示全部
关键词: 薄膜 超导体 外延生长 机理
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期刊文章 GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用
出处:材料导报 2002年第1期 31-35,共5页
摘要:GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二... 显示全部
关键词: 外延生长 掺杂 半导体器件 光电器件 半导体材料 制备 氮化镓
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期刊文章 YBa2Cu3O7-x涂层导体的外延生长和性能对CeO2缓冲层的依赖性
出处:物理学报 2008年第5期 3132-3137,共6页
摘要:利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了YBa2Cu3O7-x薄膜... 显示全部
关键词: 镀膜导体 缓冲层 厚度依赖性 外延生长
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期刊文章 高亮度GaN基蓝色LED的研究进展
出处:量子电子学报 2003年第1期 10-17,共8页
摘要:超高亮度GaN基蓝色LED的发展将会引起照明技术的一场革命,它是目前全球半导体领域研究和投资的热点.本文综... 显示全部
关键词: 高亮度 蓝色 欧姆接触 刻蚀 发光二极管 氮化镓 发展现状 外延生长
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期刊文章 钙钛矿结构氧化物薄膜的外延生长
出处:物理学报 1999年第10期 1917-1922,共6页
摘要:在成功地外延生长超导、铁电、铁磁等多种性质的钙钛矿结构氧化物薄膜的基础上,讨论影响氧化物薄膜外延生... 显示全部
关键词: 钙钛矿结构 外延生长 氧化物 薄膜
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期刊文章 La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长及其电性能的研究
出处:中国科学:A辑 1999年第5期456-461,共6页
摘要:系统研究了在LaAlO3,SrTiO3和MgO衬底上,在不同的温度条件下利用脉冲激光法制备的La0... 显示全部
关键词: 外延生长 电性能 氧化物超导体
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期刊文章 脉冲激光沉积法制备La0.5Sr0.5CoO3薄膜及其结构和表面特性
出处:武汉大学学报:理学版 2004年第3期 320-324,共5页
摘要:利用脉冲激光沉积法在(001)取向的LaAlO3(LAO)衬底上实现了La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜的外延生长.主要研究了... 显示全部
关键词: 外延生长 脉冲激光沉积 薄膜
期刊文章 倾斜衬底沉积法在金属衬底上外延生长YBCO薄膜
出处:功能材料 2004年第z1期 884-886,共3页
摘要:YBa2Cu3O7-x(YBCO)镀膜导体在电力等能源领域有巨大应用前景.利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长... 显示全部
关键词: 镀膜导体 倾斜衬底沉积法 外延生长
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