聚类工具

0
帮助 本站公告
您现在所在的位置:网站首页 > 知识中心 > 检索结果
排序:
会议论文 氧含量对RF磁控溅射ZNO薄膜结构特性的影响
出处:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:本文采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工作气氛中氩气和氧气的比例,在SI(100)衬底上沉积出具有高度C轴... 显示全部
关键词: 薄膜 射频磁控溅射 分析 氧含量 射频
会议论文 前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜
出处:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:采用化学方法腐蚀部分c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在此经过表面处理的蓝宝石衬... 显示全部
关键词: 前处理 蓝宝石衬底 薄膜 外延生长 光学质量
会议论文 MOCVD制备AlGaN基多波段布拉格反射镜
出处:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)制备AlGaN基多波段布拉格反射镜.多个布拉格反射镜的工作... 显示全部
关键词: 金属有机物化学气相淀积 布拉格反射镜 光学结构 射线衍射谱
会议论文 M面非极性GaN材料MOCVD生长和特性研究
出处:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:传统的C面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于内部极化电场的存在限制了器件量子效率的提高.M面GaN等Ⅲ族氮化物... 显示全部
关键词: 生长 非极化材料 薄膜材料 氮化物半导体
会议论文 ZNO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟研究
出处:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:本文采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZNO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内... 显示全部
关键词: 数值模拟 计算流体力学
会议论文 SI上SI1-XGEX:C缓冲层的载流子分布
出处:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:本文用化学气相淀积(CVD)方法在SI(100)衬底上生长了GE组分渐变的SI1-XGEX:C合金缓冲层.研究表明,较高温度... 显示全部
关键词: 化学气相淀积 载流子 导电分布特性
找到6条结果
`