中文会议： 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议日期： 2006-11-01

会议地点： 广西北海

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ; ; ; ;

机构地区： 深圳大学材料学院

出　　处： 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》

摘　　要： 本文采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工作气氛中氩气和氧气的比例,在SI(100)衬底上沉积出具有高度C轴择优取向的ZNO薄膜.实验发现随着O2/AR+O2比的增加,薄膜的沉积速率下降.O2/AR+O2比对薄膜结晶状态有明显影响,O2/(AR+O2)比约为0.45,薄膜结晶质量较好.

关 键 词： 薄膜 射频磁控溅射 分析 氧含量 射频

领　　域： [一般工业技术]