中文会议： 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议日期： 2006-11-01

会议地点： 广西北海

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ;

机构地区： 深圳大学光电子学研究所

出　　处： 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》

摘　　要： 采用化学方法腐蚀部分c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量.分析结果表明,GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(10-12)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到208.80arcsec及320.76arcsec。

关 键 词： 前处理 蓝宝石衬底 薄膜 外延生长 光学质量

分 类 号： [TN]

领　　域： [电子电信]