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会议论文 ESD应力下多指条MOS器件的栅过耦合效应及对策
出处:中国电子学会第十四届青年学术年会
摘要:ESD保护电路中经常使用栅耦合技术来解决多指条MOS器件ESD应力下非均匀导通的问题,但耦合到栅端的电压有时... 显示全部
关键词: 场效应器件 栅耦合技术 耦合效应 静电释放
会议论文 PMOSFET中NBTI效应的寿命评价
出处:中国电子学会第十四届青年学术年会
摘要:本文采用阈值电压漂移量△Vth作为器件寿命评价的标准,研究了PMOSFET中NBTI效应的寿命。结果表明,影响PMOSF... 显示全部
关键词: 场效应器件 阈值电压 电压漂移 器件寿命
会议论文 PMOSFET的NBTI效应
出处:中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会
摘要:随着工艺的进步,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受NBTI(NEGATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY)效应影响而失... 显示全部
关键词: 栅氧可靠性 效应 退化现象 场效应器件 半导体器件
会议论文 MOS器件的X射线辐照效应
出处:中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会
摘要:本文研究了在10KEV X射线辐照情况下MOS器件的阈值电压随总剂量和剂量率的改变而变化的趋势.实验结果表明,... 显示全部
关键词: 器件 射线 辐照效应 阈值电压 漂移幅度 场效应器件 可靠性
找到4条结果
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