中文会议： 中国电子学会第十四届青年学术年会论文集

会议日期： 2008-09-01

会议地点： 广州

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; (黄勇）;

机构地区： 广东工业大学材料与能源学院

出　　处： 《中国电子学会第十四届青年学术年会》

摘　　要： 本文采用阈值电压漂移量△Vth作为器件寿命评价的标准,研究了PMOSFET中NBTI效应的寿命。结果表明,影响PMOSFET的NBTI寿命的因素主要有：应力时间t,应力温度T,负栅压应力Vgs,器件结构参数如沟道宽度W,沟道长度L。基于试验测量的结果,得到了阈值电压漂移量△Vth的寿命评价表达式,用来预测器件中由NBTI效应限制的寿命。

关 键 词： 场效应器件 阈值电压 电压漂移 器件寿命

分 类 号： [TN]

领　　域： [电子电信]