中文会议： 中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会论文集

会议日期： 2004-10-01

会议地点： 重庆

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ;

机构地区： 华南理工大学

出　　处： 《中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会》

摘　　要： 随着工艺的进步,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受NBTI(NEGATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY)效应影响而失效的现象愈发严重,NBTI效应成为器件可靠性的一个焦点问题.本文综述了NBTI效应的产生机理、影响因素、减缓方法以及与之相关的一些前沿问题.

关 键 词： 栅氧可靠性 效应 退化现象 场效应器件 半导体器件

分 类 号： [T]

领　　域： [一般工业技术]