中文会议： 中国电子学会第十四届青年学术年会论文集

会议日期： 2008-09-01

会议地点： 广州

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ;

机构地区： 物理科学与技术学院

出　　处： 《中国电子学会第十四届青年学术年会》

摘　　要： ESD保护电路中经常使用栅耦合技术来解决多指条MOS器件ESD应力下非均匀导通的问题,但耦合到栅端的电压有时会过高,出现栅过耦合效应,这降低了器件的抗ESD能力。在栅端加钳位元件的方法可以有效避免栅过耦合效应,另外,采用衬底触发技术可以完全避免栅过耦合效应。

关 键 词： 场效应器件 栅耦合技术 耦合效应 静电释放

分 类 号： [TN]

领　　域： [电子电信]