中文会议： 中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会论文集

会议日期： 2004-10-01

会议地点： 重庆

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ; ; ; ;

机构地区： 华南理工大学

出　　处： 《中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会》

摘　　要： 本文研究了在10KEV X射线辐照情况下MOS器件的阈值电压随总剂量和剂量率的改变而变化的趋势.实验结果表明,辐照后,与用C060作为辐射源辐照所做实验结果不同的是,在大剂量率的情况下,NMOS器件的阈值电压漂移幅度远大于PMOS器件的漂移幅度,文章对这种现象给出了合理的解释.

关 键 词： 器件 射线 辐照效应 阈值电压 漂移幅度 场效应器件 可靠性

分 类 号： [T]

领　　域： [一般工业技术]