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期刊文章 ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变
出处:发光学报 2002年第5期 456-460,共5页
摘要:用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力... 显示全部
关键词: 静压 异质结构 直接禁带 间接禁带转变 压力系数 半导体材料 硒化锌 砷化镓 光致发光
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期刊文章 短周期GaAs/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验
出处:半导体学报 1995年第10期 730-735,共6页
摘要:我们制备了M=2,4,6和10的一系列短周期(GaAs)M/(AlAs)M超晶格样品并测量了其椭偏... 显示全部
关键词: 砷化镓 砷化铝 超晶格 介电函数谱 光谱
期刊文章 基片温度对RF磁探溅射GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜光谱特 …
出处:五邑大学学报:自然科学版 1998年第3期 1-3,共3页
摘要:利用射频(RF)磁控共溅射技术,以光学石英玻璃为基片,在不同基片温度下制备了系列GaAs/SiO2... 显示全部
关键词: 磁控溅射 砷化镓 二氧化硅 基片温度 薄膜
期刊文章 GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究
出处:半导体学报 1996年第11期 869-872,共4页
摘要:本文利用在GaAs(100)衬底上自组织生长超薄层InAs的方法得到了InAs量子点结构。 显示全部
关键词: 砷化镓 砷化铟 半导体结构
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期刊文章 压力下半导体GaAs的电子表面态
出处:内蒙古大学学报:自然科学版 2001年第6期 621-624,共4页
摘要:使用插值拟合近似获得晶格常数、带隙随压力的解析表示,采用变分法研究了流体静力学压力对半导体GaAs电子本... 显示全部
关键词: 电力表面态 半导体 砷化镓 流体静力学压力 变分法 表面态能级 态密度
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