作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 中国科学院

出　　处： 《Journal of Semiconductors》 1996年第11期869-872,共4页

摘　　要： 本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构．当ＩｎＡｓ的覆盖度小于１．７ＭＬ（Ｍｏｎｏ－Ｌａｙｅｒ）时，ＩｎＡｓ层仍保持二维生长模式，而当ＩｎＡｓ的覆盖度大于１．７ＭＬ时，ＩｎＡｓ层将会成岛生长，得到的量子点的尺寸和分布相当均匀．我们还研究了不同覆盖度的ＩｎＡｓ层的光致发光（ＰＬ）特性，结果发现在成岛前后，它们的ＰＬ特性有明显差异． Abstract We present a new approach to fabricate quantum dots using self-organized growth of InAs on GaAs (100) substrates.Both cross-sectional and plan-view TEM micrographs clearly show that strikingly uniform and very dense InAs QDs appeared after a critical coverage of 1. 7 ML, while InAs film is rather flat before the critical coverage. Optical characterization of these self-organized InAs QDs are studied by photoluminescence spectroscopy.

关 键 词： 砷化镓 砷化铟 半导体结构

领　　域： [电子电信]