作　　者： ; ;

机构地区： 五邑大学

出　　处： 《五邑大学学报（自然科学版）》 1998年第3期1-3,共3页

摘　　要： 利用射频（ＲＦ）磁控共溅射技术，以光学石英玻璃为基片，在不同基片温度下制备了系列ＧａＡｓ／ＳｉＯ２半导体纳米颗粒镶嵌薄膜样品。采用岛津光谱仪，对薄膜在２００至２０００ｎｍ波段范围内的透射光谱进行了测量。结果表明，与ＧａＡｓ块体材料相比，薄膜样品吸收边发生明显的蓝移；且随着基片温度的降低，蓝移量增大。而当基片温度达到３００℃时，光谱中出现了明显的吸收峰。量子限域效应是导致这种结果的主要原因。 Abstract A series of GaAs/Sio_2 nano-granular films were deposited on crystal glass slices with RF magnetron co-sputtering technique under different substrate temperatures and the influence of substrate temperature on the optical transmission spectra was investigated in the range of 200～2000 nm.Results show that the band edges were blue-shifted compared with that of the bulk material,and the lower the temperature,the larger the blue-shifting.There was a distinct valley in the spectrum when temperature reached 300℃.Quantum confinement is responsible for this result.

关 键 词： 磁控溅射 砷化镓 二氧化硅 基片温度 薄膜

领　　域： [电子电信]