作　　者： ; ; ;

机构地区： 内蒙古大学物理科学与技术学院物理学系

出　　处： 《内蒙古大学学报（自然科学版）》 2001年第6期621-624,共4页

摘　　要： 使用插值拟合近似获得晶格常数、带隙随压力的解析表示 ,采用变分法研究了流体静力学压力对半导体 Ga As电子本征表面态的影响 .数值结果表明 ,随压力增加电子表面态能级明显向上移动 。 With a viriational treatment, the surface states of electrons in semiconductor GaAs have been studied as a function of hydrostatic pressure taking into account an interpolation fit approximation between the lattice constant, band gap and the pressure effect.The numerical results show that the electrons tend to close the surface and their surface states are heightened obviously with increasing pressure.

关 键 词： 电力表面态 半导体 砷化镓 流体静力学压力 变分法 表面态能级 态密度

领　　域： [电子电信] [理学] [理学]