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期刊文章 退火条件对多晶硅薄膜光电性能的影响
出处:佳木斯大学学报:自然科学版 2007年第2期 192-195,共4页
摘要:采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜,用Raman散射谱和傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)... 显示全部
关键词: 多晶硅薄膜 氢等离子体加热 暗电导率 光学带隙
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期刊文章 微结构和尺寸约束下多晶硅微机械构件拉伸强度的尺寸效应
出处:科学通报 2001年第5期436-440,共5页
摘要:微型机电系统(MEMS)是面向21世纪的关键技术, 微型机械的设计与制造在很大程度上取决于材料问题的解决. 影... 显示全部
关键词: 微机械 弹性模量 拉伸强度 尺寸效应 多晶硅薄膜 应变设计准则 微拉伸装置 微结构 尺寸约束
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期刊文章 升级冶金级Si衬底上ECR-PECVD沉积多晶Si薄膜
出处:半导体技术 2008年第2期 117-120,共4页
摘要:成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法在升级冶金级Si衬底上175℃低温条件... 显示全部
关键词: 硅衬底 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜
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期刊文章 直接形成不连续铜膜的硅金属诱导晶化
出处:真空 2010年第4期13-16,共4页
摘要:为发展低成本的多晶硅薄膜太阳能电池,采用磁控溅射技术,通过选择不同极性的表面和改变衬底温度,在普通钠钙... 显示全部
关键词: 光伏电池 多晶硅薄膜 金属诱导晶化 磁控溅射 不连续铜薄膜
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期刊文章 准分子激光晶化制备TFT多晶硅薄膜的研究进展
出处:微电子学 2006年第1期 70-74,共5页
摘要:对准分子激光晶化制备TFT用多晶硅薄膜的研究进展进行了综述。介绍了晶化过程中的超级横向生长现象。主要结... 显示全部
关键词: 多晶硅薄膜 准分子激光晶化 人工控制超级横向生长
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期刊文章 用SiCl4/H2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究
出处:物理学报 2005年第8期 3805-3809,共5页
摘要:对以SiH4/H2及SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光... 显示全部
关键词: 多晶硅薄膜 光照稳定性 化学气相沉积技术 气源 等离子体增强 非晶硅薄膜 源气体 光电导 晶化度 稀释度 电导率 制备 衰减
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期刊文章 SiCl4-H2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响
出处:汕头大学学报:自然科学版 2004年第4期 14-18,共5页
摘要:以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,以3.5(A)/s的速率生长出了晶化度为75%的优质多晶硅薄... 显示全部
关键词: 等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜 电功率 薄膜沉积 速率 大尺寸 放电 晶粒尺寸 均匀 线性
期刊文章 氢等离子体加热法晶化a-Si:H薄膜
出处:功能材料 2004年第5期 662-664,共3页
摘要:利用氢等离子体加热晶化n+-a-Si∶H/a-Si∶H薄膜,可以在450℃的衬底温度下制备多晶硅薄膜.采用X射线衍射谱... 显示全部
关键词: 多晶硅薄膜 氢等离子体加热 退火工艺 晶化度
期刊文章 多晶硅薄膜晶化率对暗电导率的影响
出处:韩山师范学院学报 2004年第3期 61-64,共4页
摘要:采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜.用Raman散射谱进行结构表征和分析,研究了薄膜晶化... 显示全部
关键词: 多晶硅薄膜 晶化率 暗电导率 散射谱 半导体器件
期刊文章 用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量
出处:华南理工大学学报:自然科学版 2005年第7期 28-31,共4页
摘要:以颗粒硅带为衬底,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层.为了改善硅带衬底的质量,引入区... 显示全部
关键词: 区熔 颗粒硅带 多晶硅薄膜 平整度 择优取向
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