作　　者： ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 汕头大学理学院物理系

出　　处： 《汕头大学学报（自然科学版）》 2004年第4期14-18,共5页

摘　　要： 以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 .着重分析放电功率的影响 ,结果表明 :随着功率的增大 ,薄膜沉积速率基本上线性增大 ,之后有减小的趋势 ;薄膜晶化度随功率的增大而减小 ;功率较大时 ,晶粒密度也大 ,且比较均匀 ,但晶粒尺寸较小 ,功率较小时 ,大尺寸的晶粒明显增多 。 High quality polycrystalline silicon films were directly fabricated from SiCl 4_H 2 mixture gases by plasma chemical vapor deposition technique with deposition rate and crystalline fraction of 3.5/s and 75%,respectively.We focus on the analysis of affectation of discharge power to compositions,deposition rate,the size of crystalline grain,and crystalline fraction of polycrystalline silicon film. As a result,deposition increases linearly with increase of rf power,while decreases slightly from 140 W;crystalline fraction decreases with increase of rf power;the size of crystalline grain is small under high rf power,while the number of large crystalline grain increases and there are more small grains under lower power.

关 键 词： 等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜 电功率 薄膜沉积 速率 大尺寸 放电 晶粒尺寸 均匀 线性

领　　域： [自然科学总论] [电子电信]