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期刊文章 SEU电荷收集模式的器件级仿真
出处:电子质量 2009年第11期 32-34,48,共4页
摘要:文章通过计算机模拟仿真的方法对单粒子翻转(SEU)电荷收集的三种模式进行研究。模拟结果表明,在SEU的三种... 显示全部
关键词: 电荷漏斗模型 单粒子翻转 临界电荷
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期刊文章 NMOS阱内外碰撞SEU特性的仿真分析
出处:山东科技大学学报:自然科学版 2011年第4期 95-98,104,共5页
摘要:通过二维器件模拟软件MEDICI对小尺寸硅SRAM单元SEU特性进行了分析。在阱内外碰撞时,当耦合电阻,NMOS阱深等... 显示全部
关键词: 单粒子翻转 线能量传输 耦合电阻 阱内碰撞 阱外碰撞
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期刊文章 小尺寸NMOS和PMOSSEU敏感性对比分析
出处:电子质量 2011年第2期 14-16,共3页
摘要:使用软件模拟的方法对NMOS和PMOS的单粒子翻转(SEU)特性进行仿真,通过在阱内外碰撞的两种情况下对小尺寸N... 显示全部
关键词: 单粒子翻转 线能量传输 阱内碰撞 阱外碰撞
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期刊文章 基于SRAM结构的FPGA抗辐射布局算法
出处:计算机工程 2012年第5期 236-239,共4页
摘要:分析由辐射造成的单粒子翻转(SEU)软错误,在通用布局布线工具的基础上,提出一种基于SRAM结构的现场可编程... 显示全部
关键词: 现场可编程门阵列 抗辐射 布局算法 计算机辅助设计 单粒子翻转 软错误
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期刊文章 一种FPGA抗辐射工艺映射方法研究
出处:电子学报 2011年第11期 2507-2512,共6页
摘要:提出一种基于部分TMR和逻辑门掩盖的FPGA抗辐射工艺映射算法FDRMap,以及一个基于蒙特卡洛仿真的并行错误注... 显示全部
关键词: 现场可编程门阵列 工艺映射 抗辐射 错误仿真 单粒子翻转
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期刊文章 静态随机存取存储器辐射效应测试系统的研制
出处:核电子学与探测技术 2008年第6期 1209-1211,1245,共4页
摘要:由于空间辐射效应会导致SRAM器件单粒子翻转、单粒子锁定等现象的产生。文中介绍了SRAM辐射效应测试装置的... 显示全部
关键词: 静态随机存取存储器 辐射效应 单粒子翻转 单粒子锁定 测试系统
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