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期刊文章 AgGaS2单晶生长温场研究
出处:功能材料 2004年第z1期 3081-3083,共3页
摘要:根据AgGaS2晶体的生长习性,分析了AgGaS2晶体生长对生长炉温场的要求,设计了三温区的生长炉,并对其温场进行... 显示全部
关键词: 硫镓银晶体 单晶生长 温场设计
期刊文章 硫镓银单晶生长新方法探索
出处:人工晶体学报 2005年第3期 505-508,共4页
摘要:在同一安瓿中一次性合成、生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2单晶体,尺寸达φ10mm×20mm.并进行了X射线能谱... 显示全部
关键词: 硫镓银 多晶合成 单晶生长 坩埚下降法
期刊文章 光辐射悬浮区熔法Tb2PdSi3单晶生长及磁性能
出处:材料热处理学报 2014年第4期13-17,共5页
摘要:采用光辐射加热悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度成功制备了Tb2PdSi3单晶。通过分析得知,该化合物为同成分熔融... 显示全部
关键词: 悬浮区熔 单晶生长 稀土化合物 磁性能
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期刊文章 宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展
出处:人工晶体学报 2012年第S1期234-241,共8页
摘要: 本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4... 显示全部
关键词: 晶体 单晶生长 晶片加工 磁性 石墨烯
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期刊文章 AgGaS2晶体生长过程中的过冷度研究
出处:功能材料 2004年第z1期 3093-3095,共3页
摘要:根据熔体生长系统中相变驱动力的基础理论,针对AgGaS2过冷度较大的特点,采用自发成核后升温熔料、下降安瓿... 显示全部
关键词: 硫镓银 单晶生长 过冷度
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