可检索词： （英文）题名=T 作者=A 关键词=K 摘要=R 机构=O 主题=S 刊名=M 分类号=N
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作 者： ; ; ; ; ; ; ; ; ;
机构地区： 四川大学
出 处： 《功能材料》 2004年第z1期3081-3083,共3页
摘 要： 根据AgGaS2晶体的生长习性,分析了AgGaS2晶体生长对生长炉温场的要求,设计了三温区的生长炉,并对其温场进行了测试实验.在测试结果中选择较好的温场进行AgGaS2晶体生长,得到了外形较完整、品质较高的晶体.
关 键 词： 硫镓银晶体 单晶生长 法 温场设计
领 域： [理学]
