可检索词： （英文）题名=T 作者=A 关键词=K 摘要=R 机构=O 主题=S 刊名=M 分类号=N
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作 者： ; ; ; ; ; ; ; ; ;
机构地区： 四川大学
出 处： 《功能材料》 2004年第z1期3093-3095,共3页
摘 要： 根据熔体生长系统中相变驱动力的基础理论,针对AgGaS2过冷度较大的特点,采用自发成核后升温熔料、下降安瓿后上提熔料以及加类籽晶等工艺研究了AgGaS2晶体生长过程中因过冷度大而难于生长较大尺寸单晶体的问题,生长出了外形完整、无裂纹的尺寸达φ15mm×20mm的较高质量AgGaS2单晶体.
关 键 词： 硫镓银 单晶生长 过冷度
领 域： [理学]
