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会议论文 多晶发射极微波SiGe/Si HBT
出处:第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
摘要:本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 ... 显示全部
关键词: 多晶发射极 双台面
会议论文 UHVCVD低温外延的表面粗糙度研究
出处:第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
摘要:本文利用AFM测量不同生长条件下的SI或SIGE外延层,结果表明外延层的表面粗糙度强烈地依赖于外延的温度和气... 显示全部
关键词: 外延 表面质量 外延 粗糙度 超高真空化学气相沉积
会议论文 微波低噪声SIGE HBT的研发(摘要)
出处:2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
摘要:  作为将能带工程引入硅器件的最成功范例, SIGE HBT出色的高频功率和噪声性能,加之与硅集成电路工艺的良... 显示全部
找到3条结果
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