中文会议： 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集

会议日期： 2003-12-01

会议地点： 深圳

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 清华大学信息科学技术学院微电子学研究所

出　　处： 《第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会》

摘　　要： 本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 UVC/CVD设备,外延均匀Ge组分应变SiGe基区材料,在 5"圆片0.8umCMOS工艺线上,研制出的器件直流增益=50-300,Pcm=500mW,f<,T>为4-5GHZ.

关 键 词： 多晶发射极 双台面

分 类 号： [TN]

领　　域： [电子电信]