中文会议： 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会论文集

会议日期： 2011-08-08

会议地点： 昆明

主办单位： 中国半导体行业协会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ; ; (钱文生）; (周天舒）; (季伟）; (李昊）; (刘鹏）; (黄景丰）; (顾学强）; (周正良）;

机构地区： 清华大学信息科学技术学院微电子学研究所

出　　处： 《2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会》

摘　　要： 　　作为将能带工程引入硅器件的最成功范例, SIGE HBT出色的高频功率和噪声性能,加之与硅集成电路工艺的良好兼容性,使其器件及其集成电路产品具有优异的性价比,因而已经广泛应用于无线通信、全球定位系统、无线局域网等领域。与SI BJT相比,SIGE HBT的优势来自于基区和发射区之间的能带差。由于SIGE基区与SI发射区相比禁带宽带较窄,从而有效降低了少数载流子(对于NPN器件而言就是电子)从发射区向基区注入所需克服的势垒高度,从而大大提高了发射极的注入效率。因此,即使在基区的掺杂浓度大大提高的前提下,器件仍能获得足够高的电流放大倍数。而基区掺杂浓度的提高,可以保证基区很薄时器件依然具有很小的基区电阻,即可同时有效减小基区渡越时间τB和基区电阻RB,十分有益于提高器件的频率响应、微波功率和高频噪声性能。

领　　域： [自动化与计算机技术] [自动化与计算机技术] [兵器科学与技术]