聚类工具

0
帮助 本站公告
您现在所在的位置:网站首页 > 知识中心 > 检索结果
排序:
会议论文 基于阈值电压的P-Si TFT模型研究进展
出处:中国电子学会第十四届青年学术年会
摘要:基于阈值电压的P-Si TFT分区模型是目前主要的P-Si TFT模型。本文首先对目前基于阈值电压的p-Si TFT模型研... 显示全部
关键词: 薄膜晶体管 阈值电压 器件测试 仿真模型
会议论文 PMOSFET中NBTI效应的寿命评价
出处:中国电子学会第十四届青年学术年会
摘要:本文采用阈值电压漂移量△Vth作为器件寿命评价的标准,研究了PMOSFET中NBTI效应的寿命。结果表明,影响PMOSF... 显示全部
关键词: 场效应器件 阈值电压 电压漂移 器件寿命
会议论文 MOS器件的X射线辐照效应
出处:中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会
摘要:本文研究了在10KEV X射线辐照情况下MOS器件的阈值电压随总剂量和剂量率的改变而变化的趋势.实验结果表明,... 显示全部
关键词: 器件 射线 辐照效应 阈值电压 漂移幅度 场效应器件 可靠性
会议论文 基于Ratchet效应的平面纳米二极管
出处:第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议
摘要:采用二维系综蒙特卡罗方法对平面纳米结构的电响应特性进行了详细地研究。计算结果表明纳米结构加工过程所... 显示全部
关键词: 效应 蒙特卡罗模拟 纳米 电势 阈值电压
找到4条结果
`