中文会议： 第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集

会议日期： 2008-11-30

会议地点： 广东广州

主办单位： 中国电子学会,广州市科协

出版方 ： 中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会

作　　者： ; ; ;

机构地区： 华南师范大学物理与电信工程学院

出　　处： 《第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议》

摘　　要： 采用二维系综蒙特卡罗方法对平面纳米结构的电响应特性进行了详细地研究。计算结果表明纳米结构加工过程所带来的表面电荷能够用来改变纳米沟道中的电场分布,从而使得纳米沟道中的电势分布呈现出空间不对称。由于Ratchet效应,此时通过纳米沟道的电子输运将体现出方向性,这使得该器件具有类似于二极管的电流电压特性曲线。通过优化结构,还可以获得开启电压为零的器件。由于该器件为纳米量级,因此具有很快的响应速度。模拟

关 键 词： 效应 蒙特卡罗模拟 纳米 电势 阈值电压

分 类 号： [TN31]

领　　域： [电子电信]