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会议论文 大面积金刚石膜基底晶体点阵的数学表述及其OpenGL三维可视化模型
出处：第九届中国体视学会与图像分析学术会议
摘要：为了在原子尺度模拟金刚石薄膜同质处延生长,首先必须明确地揭示表面位置占据状态的瞬时变化情况,因此必须... 显示全部
关键词： 金刚石薄膜 三维可视化模型 外延生长 结构表征
会议论文 前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜
出处：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要：采用化学方法腐蚀部分c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在此经过表面处理的蓝宝石衬... 显示全部
关键词： 前处理 蓝宝石衬底 薄膜 外延生长 光学质量
会议论文 Si(111)衬底上3C-SiC的CVD异质外延生长
出处：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要：以乙烯和硅烷为生长气源、在900~1000℃下、用化学气相淀积方法在硅(111)衬底上外延生长了碳化硅薄膜.X射线... 显示全部
关键词： 外延生长 化学气相淀积 射线衍射谱 俄歇电子能谱 拉曼散射 碳化硅薄膜
会议论文 Ｂａ〈，０．５〉Ｓｒ〈，０．５〉ＴｉＯ〈，３〉薄膜的外延生长及其电学特性
出处：第十届全国电子束·离子束·光子束学术年会
关键词： 脉冲激光淀积法 薄膜 外延生长 电学特性
会议论文 立式HVPE反应器生长GAN模拟研究
出处：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要：利用有限元法对新设计的HVPE系统工艺参数进行了优化,发现衬底与气体入口距离为5厘米时,沉积的均匀性较好。... 显示全部
关键词： 氮化镓 气相外延 流体动力学 有限元法 外延生长
会议论文 ZnO覆盖的Si衬底上ZnCdTe-ZnTe量子阱的生长
出处：第四届中国功能材料及其应用学术会议
摘要：硅作为一种工艺成熟的半导体材料,为电子学的发展作出了巨大的贡献,但信息技术的兴起使人们想到若把硅基电... 显示全部
关键词： 量子阱 覆盖层 衬底 外延生长
会议论文 倾斜衬底沉积法在金属衬底上外延生长YBCO薄膜
出处：第五届中国功能材料及其应用学术会议
摘要：YBA<,2>CU<,3>O<,7-X>(YBCO)镀膜导体在电力等能源领域有巨大应用前景.利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬... 显示全部
关键词： 镀膜导体 倾斜衬底沉积法 外延生长
会议论文 多晶硅薄膜的制备与表征
出处：中国第七届光伏会议
摘要：以多晶硅片为衬底,在快热化学气相沉积(RTCVD)设备上,通过外延生长的方式制得多晶硅薄膜,并利用扫描电镜(SE... 显示全部
关键词： 多晶硅薄膜 化学气相沉积 颗粒硅带 外延生长 薄膜制备 形貌结构
会议论文 La<,0.5>Sr<,0.5>CoO<,3>薄膜的外延生长及其电性能的研究
出处：中国科协首届学术年会
摘要：<正>La0.5Sr0.5CoO3（LSCO）具有优良的导电性和化学稳定性,用作薄膜电极可明显地改善铁电薄膜的寿命和疲劳... 显示全部
关键词： 薄膜生长 脉冲激光沉积 半导体材料 电性能 外延生长
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